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IGBT与反并联二极管 | AOS IGBTs与功率IC

Part Number

Status

Package

Configuration

VCE(max)

IC (max)

VCE(sat)(typ)

EON

EOFF

Qg

VF

Qrr

Irm

25°C

100°C

V

A

A

V

mJ

mJ

nC

V

C

A

AOB10B60D

New

TO263

IGBT with Anti-Parallel Diode

600

20

10

1.53

0.26

0.07

17.4

1.52

0.25

5

AOB15B60D

New

TO263

IGBT with Anti-Parallel Diode

600

30

15

1.6

0.42

0.11

25.4

1.43

0.48

5.8

AOB5B60D

New

TO263

IGBT with Anti-Parallel Diode

600

10

5

1.55

0.14

0.04

9.4

1.46

0.23

4.4

AOD5B60D

New

TO252

IGBT with Anti-Parallel Diode

600

10

5

1.55

0.14

0.04

9.4

1.46

0.23

4.4

AOK10B60D

New

TO247

IGBT with Anti-Parallel Diode

600

20

10

1.53

0.32

0.12

17.4

1.52

0.25

5

AOK15B60D

New

TO247

IGBT with Anti-Parallel Diode

600

30

15

1.6

0.51

0.11

25.4

1.43
扩展了解：P沟道MOS管 | IGBT与反并联二极管 | EZBuck：DC-DC降压型稳压器 | EZBoostDC-DC升压型稳压器 | 多输出稳压器 | EZPower：智能负载开关 |
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AOS官网发布的行业动态（2024年11月17日更新）
  • AOS公司推出12款高压MOSFET新产品阵线
  • AOS公司发布业界领先低导通内阻和高速开关性能的MOSFET AON6250
  • AOS发布第一款新产品系列的功率因数校正（PFC）IC AOZ7111
  • AOS 发布具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET AON7421和AON7423
  • AOS公司投资10亿美元在重庆建厂，产能扩大一倍
    • AOS代理商-AOS公司半导体授权国内AOS代理商

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